Номер детали производителя : | HS3M M6G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS3M M6G(1).pdfHS3M M6G(2).pdfHS3M M6G(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS3M M6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 3A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS3M M6G(1).pdfHS3M M6G(2).pdfHS3M M6G(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS3M |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB